Setări complete BIOS

II. Chipset Features Setup

SDRAM CAS Latency Timp (Timp de întârziere SDRAM CAS [Coloana Address Strobe])

Opțiuni. 2, 3

Controlează intervalul de timp (în perioadele de impuls de ceas), care are loc înainte de momentul când SDRAM începe a executa o comandă de citire (comanda de citire) de la primirea acestuia. De asemenea, determină o valoare de „timer ciclu“ pentru a finaliza prima parte a pachetului. Astfel, cea mai mică latență, cu atât mai repede tranzacția. Cu toate acestea, unele SDRAM nu sunt în măsură să ofere latență mai redusă devin instabile și piardă dannye.Takim mod posibil set de așteptare de timp (SDRAM CAS Latency Timp) în poziția 2 pentru performanțe optime, dar crește până la 3 în cazul în care sistemul devine instabil.
SDRAM Durata ciclului Tras / TrcTras / Trc (SDRAM ciclu de timp de memorie)
Opțiuni. 5/6, 6/8

Această caracteristică vă permite să schimbați numărul minim de cicluri de memorie necesare pentru TRAS și TRC în SDRAM. Tras înseamnă SDRAM`s Row Active Time (activitate SDRAM serii de timp), și anume Perioada de timp în care numărul de deschis pentru transferul de date. Există, de asemenea, un termen minim de RAS Puls Lățime (puls minim durata RAS). TRC, pe de altă parte, înseamnă SDRAM`s Rând ciclu de timp (ciclu de memorie / ciclu de timp SDRAM serie), adică, perioada de timp în care pentru a finaliza un ciclu complet de deschiderea și renovarea unui număr (rând-deschis, ciclu rând reîmprospătare). Setarea implicită este de 6/8, o lentă și constantă decât 5/6. Cu toate acestea, se înlocuiește repede cu 5/6 cicluri în SDRAM, dar nu poate părăsi rândurile deschise pentru o perioadă de timp suficientă pentru a finaliza aceste tranzacții. Acest lucru este valabil mai ales pentru SDRAM cu o frecvență de ceas mai mare de 100MHz. Prin urmare, ar trebui să încercați 5/6, în scopul de a crește productivitatea SDRAM, dar ar trebui să fie crescută la 6/8 în cazul în care sistemul devine instabil.
SDRAM RAS-to-CAS Delay (Latenta SDRAM RAS-to-CAS)
Opțiuni. 2, 3

Acest lucru vă permite de a pune o întârziere între semnalele RAS (Row Address Strobe) și CAS (Column Address Strobe). Acest lucru se întâmplă atunci când ceva este scris, actualizat sau citit în SDRAM. Desigur, reducerea întârziere îmbunătățește performanța SDRAM, și de a crește dimpotrivă, degradează performanța mod SDRAM.Takim reduce întârzierea cu privire la valoarea 3 (implicit) la 2 pentru îmbunătățirea performanței SDRAM. Cu toate acestea, în cazul în care reducerea latență este o problemă de stabilitate, valoarea setată înapoi la 3.
SDRAM RAS Ora Precharge (Timp de preîncărcare RAS SDRAM)
Opțiuni. 2, 3

Această opțiune stabilește numărul de cicluri necesare pentru RAS a câștigat taxa înainte de reîmprospătare SDRAM. Reducerea timpului de preîncărcare la 2 îmbunătățește performanța SDRAM, dar dacă această setare nu este suficient pentru a seta SDRAM, SDRAM poate fi actualizat în mod corect și nu va fi în măsură să le dețină. Astfel, pentru îmbunătățirea performanței SDRAM, setați Timp SDRAM RAS Precharge 2, dar crește la 3, în cazul în care preîncărcarea timpul de reducere cauzează probleme cu stabilitatea.
SDRAM Cycle Lungime (SDRAM Lungimea ciclului)
Opțiuni. 2, 3

Această caracteristică este similară cu SDRAM CAS Latency timp. Controlează intervalul de timp (în perioadele de impuls de ceas), care are loc înainte de momentul când SDRAM începe a executa o comandă de citire (comanda de citire) de la primirea acestuia. De asemenea, determină o valoare de „timer ciclu“ pentru a finaliza prima parte a pachetului. Astfel, cea mai mică lungimea ciclului, va avea loc tranzacția. Cu toate acestea, unele SDRAM nu sunt în măsură să ofere ciclu mai scurt devine instabil. Dacă este posibil, instalați Lungimea ciclului de SDRAM în poziția 2 pentru performanțe optime, dar creste la 3 în cazul în care sistemul devine instabil.
SDRAM leadoff de comandă (timpul de acces la primul element al pachetului de date)
Opțiuni. 3, 4

Această opțiune vă permite să reglați valoarea timpului leadoff, perioada de timp necesară înainte de a va fi posibil accesul la datele stocate în SDRAM. În cele mai multe cazuri, de data aceasta, accesul la primul element al pachetului de date. Pentru performanțe optime, setați valoarea la 3 pentru acces rapid la SDRAM, dar măriți-l la 4, în cazul în care sistemul devine instabil.
SDRAM Bank Intercalați (alternare SDRAM bancă de date)
Opțiuni. 2-Bank, 4-Bank, pentru persoane cu handicap

Fiecare SDRAM DIMM constă fie 2 bănci sau 4 bănci. Dual-bancare SDRAM DIMM utilizare 16Mbit SDRAM chips-uri și sunt, de obicei 32MB sau mai puțin în dimensiune. Chetyrehbankovye SDRAM DIMM, pe de altă parte, utilizați în mod obișnuit 64Mbit cipuri SDRAM, cu toate că densitatea SDRAM poate ajunge la 256Mbit pe cip. Toate DIMMs SDRAM dimensiune de cel puțin 64 MB sau mai mult, prin natura lor sunt 4 Bankova. Dacă utilizați un singur DIMM SDRAM 2-bancar, setați valoarea acestei opțiuni pentru 2-Bank. Dar, dacă utilizați o pereche de module DIMM SDRAM 2-bancare, puteți utiliza, de asemenea, opțiunea 4-Bank. Cu DIMM-urile SDRAM 4-bancare, puteți utiliza oricare dintre alternanța dintre opțiunile (opțiunile intercaleze).

Natura acestei opțiuni BIOS pentru „overclock“ magistrala AGP (rula la o frecvență mai mare decât cea prevăzută). AGP de autobuz este sensibil la „dispersa“, în special în modul AGP4X și cu lățime de bandă a crescut activat. De fapt, o mai mare AGP Driving Valoarea poate fi doar modul de a „dispersa“ magistrala AGP, pe care aveți nevoie. Creșterea puterea semnalului de autobuz, puteți crește stabilitatea activității sale pe mare skorostyah.Odnako, să fie extrem de atent, creșterea valorii AGP Driving cu valoarea „overclockat“ bus AGP, după cum puteți daune fără speranță cardul dvs. AGP! Apropo, spre deosebire de unele rapoarte creșterea valorii AGP Driving Valoarea nu va imbunatati magistrala AGP. Aceasta nu este o caracteristică care crește anvelope de înaltă performanță, așa că nu trebuie să se întoarcă la valoarea sa în cazul în care nu este necesară.

Consimțământul la prelucrarea datelor cu caracter personal