bariera Schottky - l

Schema energetică a metalului de contact - semiconductor: un semiconductor de tip și n-tip de metal, înainte de convergență; b și c - un contact perfect, din metal-semiconductor n - și p-tipurile; r - contactul metalic real, cu tip n semiconductor; M - metal; P tip semiconductor; strat D-dielectric; electroni -urovnienergii în banda de valență, în partea inferioară a benzii de conducție și în vid; energia Fermi a; F n -Colaborarea electron ieșire semiconductor P M - izmetalla; diferență de potențial Uk în stratul semiconductor de suprafață.

În structurile actuale de metal - semiconductor această relație nu este îndeplinită, pe o suprafață de semiconductoare sau dielectric subțire ... strat intermediar, de multe ori apar între metal și semiconductoare, există de obicei un stat electronice locale; Ele sunt în vigoare metalul scut electronii astfel încât ext. câmp din materiale semiconductoare este determinată de aceste stări de suprafață, iar înălțimea Sh b. M depinde de F mai puțin brusc decât pot fi obținute de la redusă f vatá mai sus. Ca o regulă, să aibă o înălțime maximă de S. b. obținut prin aplicarea filmului semiconductor de tip n Au. La înălțimea lui S. b. are, de asemenea, rezistență la impact „electric. imagine“ (a se vedea. efectul Schottky).

S. b. Aceasta a rectificare proprietăți. Curentul prin Sh b. când ext aplicată. Electrice. Câmpul este creat aproape în întregime fondat. taxa de transport. Cantitatea de curent este determinată de viteza de sosire a transportatorilor de cea mai mare parte la suprafață, în cazul unui semiconductor cu mobilitate mare transportator - curentul de emisie termionică.

Contacte metal - semiconductor cu un S. b. utilizate în detectoarele cu microunde și mixere, tranzistori, fotodiode și altele. instrumente.

Lit: Striha V. I. Buzaneva E. Radzievskii IA Semiconductors Schottky barieră, M. 1974. Striha V. I. Bazele teoretice ale activității de contact metal - semiconductor, K. 1974; A. Milnes și Feucht DA heterojonctiunilor de metal de tranziție - benzi semiconductor. din limba engleză. M. 1975.

Vezi ce o „bariera Schottky“ în alte dicționare:

Bariera Schottky - (. Sau Schottky (Engl Schottky barieră)) o barieră potențială formată în contact cu semiconductori strat învecinându pe metal, egal cu diferența funcției de muncă (energia consumată pentru a elimina un electron dintr-un solid sau ... ... Wikipedia

efect Schottky - saturația de electroni creștere curent de solid (catod), sub influența unui electric extern de accelerare. câmp din cauza scăderii funcției de lucru de electroni a solidelor (fig.). Potențiala Distribuția pe suprafața metalului în absența (1) ... ... Enciclopedia fizică

bariera Schottky - Šotkio barjeras statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. vok bariera Schottky. Schottky Barriere, f; Schottky Sperrschicht, f Rus. joncțiune Schottky, m; Bariera Schottky, m pranc. Barriere de Schottky, f ... Fizikos terminų žodynas

Walter Schottky - (Shottky) (1886 1976), un fizician german. El a adus o contribuție fundamentală la baza fizică a electronicii de emisie și de fizica ... ... Collegiate dicționar (inventat tranzistorul, a stabilit dependența curentului de emisie a efectului Schottky, principiul superheterodin de amplificare a sugerat)

Schottky (Schottky) Walter - (1886 # 151; 1976), un fizician german. El a adus o contribuție fundamentală la baza fizică a electronicii de emisie (inventat tranzistorul, a stabilit dependența curentului de emisie de câmp electric # 151; efect Schottky, principiul superheterodin sugerat ... ... Collegiate dicționar

Schottky B. - SHÓTTKI (Schottky) Walter (1886 # 150; 1976) în acesta. fizician. Introdusă Fundam. contribuție la NAT. Elementele de bază de electronice de emisie (inventat tranzistorul, a stabilit dependența curentului de emisie de electrice. câmp # 150; Principiul superheterodină efect Sh oferit ... ... dicționar biografic

Schottky Diode - În acest termen, există alte utilizări, a se vedea cu LED-uri (dezambiguizare) .. diode Schottky Simbol nu sunt în conformitate cu GOST 2 ... Wikipedia

efect Schottky - emisia de electroni din metal împiedică bariera de potențial format din forța de imagine electrică. Reducerea acestei bariere cu creșterea aplicată câmp electric extern numit efect Schottky. Luați în considerare mai întâi ... ... Wikipedia

Bariera Schottky - Posibila barieră formată în contact cu semiconductori învecinându strat pe metal; numit după savantul german W. Schottky (W. Schottky). care a investigat această barieră în 1939. Originea potențialului barierei ... ... Marea Enciclopedie Sovietica